Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > ZXMN2A01FTC
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
1256363ZXMN2A01FTC-kuvaDiodes Incorporated

ZXMN2A01FTC

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    ZXMN2A01FTC
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    ZXMN2A01FTC.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    700mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    SOT-23-3
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    120 mOhm @ 4A, 4.5V
  • Tehonkulutus (Max)
    625mW (Ta)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    303pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3nC @ 4.5V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    20V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 20V 1.9A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    1.9A (Ta)

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13.11.2024

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "ZXMN2A01FTC" -tuotteita.
ZXMN2AM832TA

ZXMN2AM832TA

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN2069FTA

ZXMN2069FTA

Kuvaus: MOSFET N-CH SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN15A27KTC

ZXMN15A27KTC

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 1.7A DPAK

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN10A25KTC

ZXMN10A25KTC

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN10B08E6TA

ZXMN10B08E6TA

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN2A05N8TA

ZXMN2A05N8TA

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN2A14FTA

ZXMN2A14FTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN2A01FTA

ZXMN2A01FTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN10B08E6TC

ZXMN10B08E6TC

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN2A01E6TA

ZXMN2A01E6TA

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN2A02X8TA

ZXMN2A02X8TA

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN2A02X8TC

ZXMN2A02X8TC

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN2A02N8TA

ZXMN2A02N8TA

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN20B28KTC

ZXMN20B28KTC

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN2A01E6TC

ZXMN2A01E6TC

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN2A04DN8TC

ZXMN2A04DN8TC

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN2A03E6TC

ZXMN2A03E6TC

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN2A03E6TA

ZXMN2A03E6TA

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT-23-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN2A04DN8TA

ZXMN2A04DN8TA

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN2088DE6TA

ZXMN2088DE6TA

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.