Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SIJ438DP-T1-GE3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

3841798

SIJ438DP-T1-GE3-kuva

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIJ438DP-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

1+

$1.83

10+

$1.657

100+

$1.331

500+

$1.035

1000+

$0.858

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SIJ438DP-T1-GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SIJ438DP-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -16V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

PowerPAK® SO-8
Sarja

TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs

1.35 mOhm @ 20A, 10V
Tehonkulutus (Max)

69.4W (Tc)
Pakkaus

Original-Reel®
Pakkaus / Case

PowerPAK® SO-8
Muut nimet

SIJ438DP-T1-GE3DKR
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

9400pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

182nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

40V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 40V 80A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

laivaus

Maksu

Seuraava on "SIJ438DP-T1-GE3" -tuotteita.

SIJA72ADP-T1-GE3

SIJA72ADP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

IRFP450A

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIJA54DP-T1-GE3

SIJA54DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIJH440E-T1-GE3

SIJH440E-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

IRF8306MTRPBF

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)

Varastossa

SIJ470DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIJ482DP-T1-GE3

SIJ482DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIJ462DP-T1-GE3

SIJ462DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIJ800DP-T1-GE3

SIJ800DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIJA58DP-T1-GE3

SIJA58DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

IXTV22N60PS

IXTV22N60PS

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD

valmistajat: IXYS Corporation

Varastossa

SIJ400DP-T1-GE3

SIJ400DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIJ484DP-T1-GE3

SIJ484DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

STP40N20

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 40A TO-220

valmistajat: STMicroelectronics

Varastossa

SIJ458DP-T1-GE3

SIJ458DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

STP160N75F3

Kuvaus: MOSFET N-CH 75V 120A TO-220

valmistajat: STMicroelectronics

Varastossa

SIJ420DP-T1-GE3

SIJ420DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIJ494DP-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.