Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SIS429DNT-T1-GE3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

725259

SIS429DNT-T1-GE3-kuva

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS429DNT-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

6000+

$0.151

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SIS429DNT-T1-GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212
Lyijytön tila / RoHS-tila
lomakkeissa

SIS429DNT-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

PowerPAK® 1212-8
Sarja

-
RDS (Max) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 10.5A, 10V
Tehonkulutus (Max)

27.8W (Tc)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

PowerPAK® 1212-8
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Valmistajan toimitusaika

32 Weeks
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V
FET tyyppi

P-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

30V
Yksityiskohtainen kuvaus

P-Channel 30V 20A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

laivaus

Maksu

Seuraava on "SIS429DNT-T1-GE3" -tuotteita.

SIS439DNT-T1-GE3

SIS439DNT-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS436DN-T1-GE3

SIS436DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS430DN-T1-GE3

SIS430DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS414DN-T1-GE3

SIS414DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS407ADN-T1-GE3

SIS407ADN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS434DN-T1-GE3

SIS434DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS443DN-T1-GE3

SIS443DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS435DNT-T1-GE3

SIS435DNT-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS447DN-T1-GE3

SIS447DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 18A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS424DN-T1-GE3

SIS424DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS444DN-T1-GE3

SIS444DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS438DN-T1-GE3

SIS438DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS410DN-T1-GE3

SIS410DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS426DN-T1-GE3

SIS426DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS448DN-T1-GE3

SIS448DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS407DN-T1-GE3

SIS407DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS415DNT-T1-GE3

SIS415DNT-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.