Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrayit > SIS932EDN-T1-GE3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

3293210

SIS932EDN-T1-GE3-kuva

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS932EDN-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

3000+

$0.253

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SIS932EDN-T1-GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SIS932EDN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA
Toimittaja Device Package

PowerPAK® 1212-8 Dual
Sarja

TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 10A, 4.5V
Virta - Max

2.6W (Ta), 23W (Tc)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

PowerPAK® 1212-8 Dual
Muut nimet

SIS932EDN-T1-GE3TR
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V
FET tyyppi

2 N-Channel (Dual)
FET Ominaisuus

Standard
Valua lähde jännite (Vdss)

30V
Yksityiskohtainen kuvaus

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A (Tc) 2.6W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

NVIDIA RTX 5090 -näytönohjaimen GPU -pinta -ala on 744 mm...

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

laivaus

Maksu

Seuraava on "SIS932EDN-T1-GE3" -tuotteita.

SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS892ADN-T1-GE3

SIS892ADN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SISA01DN-T1-GE3

SISA01DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS782DN-T1-GE3

SIS782DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS902DN-T1-GE3

SIS902DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS822DNT-T1-GE3

SIS822DNT-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 40A 1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SISA24DN-T1-GE3

SISA24DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS780DN-T1-GE3

SIS780DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SISA04DN-T1-GE3

SISA04DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.