Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > IPB123N10N3GATMA1
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
6721743IPB123N10N3GATMA1-kuvaInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB123N10N3GATMA1

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1000+
$0.936
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    IPB123N10N3GATMA1
  • Valmistaja / merkki
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    IPB123N10N3GATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 46µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    D²PAK (TO-263AB)
  • Sarja
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    12.3 mOhm @ 46A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    94W (Tc)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muut nimet
    IPB123N10N3 G
    IPB123N10N3 G-ND
    IPB123N10N3 GTR
    IPB123N10N3 GTR-ND
    IPB123N10N3G
    IPB123N10N3GATMA1TR
    SP000485968
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    2500pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    35nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    100V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 100V 58A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    58A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

24.10.2024

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

10.10.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "IPB123N10N3GATMA1" -tuotteita.
IPB136N08N3 G

IPB136N08N3 G

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB120N06S4H1ATMA1

IPB120N06S4H1ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB12CNE8N G

IPB12CNE8N G

Kuvaus: MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB13N03LB G

IPB13N03LB G

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 30A TO-263

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB12CN10N G

IPB12CN10N G

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB120N06S4H1ATMA2

IPB120N06S4H1ATMA2

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB120N08S404ATMA1

IPB120N08S404ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB120N08S403ATMA1

IPB120N08S403ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB14N03LA G

IPB14N03LA G

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB120P04P404ATMA1

IPB120P04P404ATMA1

Kuvaus: MOSFET P-CH TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB120P04P4L03ATMA1

IPB120P04P4L03ATMA1

Kuvaus: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB144N12N3GATMA1

IPB144N12N3GATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB120N10S405ATMA1

IPB120N10S405ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB120N06S403ATMA1

IPB120N06S403ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB140N08S404ATMA1

IPB140N08S404ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH TO263-7

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB120N06S403ATMA2

IPB120N06S403ATMA2

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB14N03LA

IPB14N03LA

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB147N03LGATMA1

IPB147N03LGATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB120N10S403ATMA1

IPB120N10S403ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB13N03LB

IPB13N03LB

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.