Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset > 1N4006G
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
58339591N4006G-kuvaAMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N4006G

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$0.19
10+
$0.175
100+
$0.095
500+
$0.059
1000+
$0.04
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    1N4006G
  • Valmistaja / merkki
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    1N4006G.pdf
  • Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos
    1.1V @ 1A
  • Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
    800V
  • Toimittaja Device Package
    Axial
  • Nopeus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Sarja
    -
  • Pakkaus
    Bulk
  • Pakkaus / Case
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Muut nimet
    1N4006GOS
  • Käyttölämpötila - liitäntä
    -65°C ~ 175°C
  • Asennustyyppi
    Through Hole
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    42 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • diodi Tyyppi
    Standard
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Diode Standard 800V 1A Through Hole Axial
  • Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr
    10µA @ 800V
  • Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io)
    1A
  • Kapasitanssi @ Vr, F
    -
  • Perusosan osanumero
    1N4006

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "1N4006G" -tuotteita.
1N4006FFG

1N4006FFG

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
1N4006G

1N4006G

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

valmistajat: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Varastossa
RFQ
1N4006G R0G

1N4006G R0G

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

valmistajat: TSC (Taiwan Semiconductor)
Varastossa
RFQ
1N4006G B0G

1N4006G B0G

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

valmistajat: TSC (Taiwan Semiconductor)
Varastossa
RFQ
1N4006G R1G

1N4006G R1G

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

valmistajat: TSC (Taiwan Semiconductor)
Varastossa
RFQ
1N4006G A0G

1N4006G A0G

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

valmistajat: TSC (Taiwan Semiconductor)
Varastossa
RFQ
1N4006GHB0G

1N4006GHB0G

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

valmistajat: TSC (Taiwan Semiconductor)
Varastossa
RFQ
1N4006E-E3/73

1N4006E-E3/73

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
1N4006-N-2-4-AP

1N4006-N-2-4-AP

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41

valmistajat: Micro Commercial Components (MCC)
Varastossa
RFQ
1N4006G-T

1N4006G-T

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
1N4006B-G

1N4006B-G

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

valmistajat: Comchip Technology
Varastossa
RFQ
1N4006GHR0G

1N4006GHR0G

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

valmistajat: TSC (Taiwan Semiconductor)
Varastossa
RFQ
1N4006FF

1N4006FF

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

valmistajat: ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
1N4006GHR1G

1N4006GHR1G

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

valmistajat: TSC (Taiwan Semiconductor)
Varastossa
RFQ
1N4006-TP

1N4006-TP

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

valmistajat: Micro Commercial Components (MCC)
Varastossa
RFQ
1N4006/54

1N4006/54

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
1N4006-T

1N4006-T

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
1N4006E-E3/54

1N4006E-E3/54

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
1N4006GHA0G

1N4006GHA0G

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

valmistajat: TSC (Taiwan Semiconductor)
Varastossa
RFQ
1N4006G BK

1N4006G BK

Kuvaus: DIODE GEN PURPOSE DO41

valmistajat: Central Semiconductor
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.