Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset > 1N4448TR
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
517031N4448TR-kuvaAMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N4448TR

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
10000+
$0.013
30000+
$0.012
50000+
$0.011
100000+
$0.01
250000+
$0.009
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    1N4448TR
  • Valmistaja / merkki
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    1N4448TR.pdf
  • Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos
    1V @ 100mA
  • Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
    100V
  • Toimittaja Device Package
    DO-35
  • Nopeus
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Sarja
    -
  • Käänteinen Recovery Time (TRR)
    4ns
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Muut nimet
    1N4448TRTR
    1N4448TRTR-ND
  • Käyttölämpötila - liitäntä
    175°C (Max)
  • Asennustyyppi
    Through Hole
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    22 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • diodi Tyyppi
    Standard
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Diode Standard 100V 200mA Through Hole DO-35
  • Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr
    5µA @ 75V
  • Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io)
    200mA
  • Kapasitanssi @ Vr, F
    2pF @ 0V, 1MHz
  • Perusosan osanumero
    1N4448

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024

NVIDIA RTX 5090 -näytönohjaimen GPU -pinta -ala on 744 mm...

25.11.2024

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "1N4448TR" -tuotteita.
1N4448TR_S00Z

1N4448TR_S00Z

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
1N4448TR

1N4448TR

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
1N4448W-G3-08

1N4448W-G3-08

Kuvaus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
1N4448-T

1N4448-T

Kuvaus: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
1N4448HLP-7

1N4448HLP-7

Kuvaus: DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
1N4448W-E3-08

1N4448W-E3-08

Kuvaus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
1N4448W-HE3-08

1N4448W-HE3-08

Kuvaus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
1N4448TAP

1N4448TAP

Kuvaus: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
1N4448HWS-7

1N4448HWS-7

Kuvaus: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
1N4448W RHG

1N4448W RHG

Kuvaus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F

valmistajat: TSC (Taiwan Semiconductor)
Varastossa
RFQ
1N4448W-E3-18

1N4448W-E3-18

Kuvaus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
1N4448W-7

1N4448W-7

Kuvaus: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
1N4448W-G3-18

1N4448W-G3-18

Kuvaus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
1N4448HWT-7

1N4448HWT-7

Kuvaus: DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
1N4448HWS-13-F

1N4448HWS-13-F

Kuvaus: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
1N4448HWS-7-F

1N4448HWS-7-F

Kuvaus: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
1N4448W-7-F

1N4448W-7-F

Kuvaus: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
1N4448-T

1N4448-T

Kuvaus: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
1N4448-TP

1N4448-TP

Kuvaus: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

valmistajat: Micro Commercial Components (MCC)
Varastossa
RFQ
1N4448-A

1N4448-A

Kuvaus: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.