Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > FCI25N60N-F102

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

1532430

FCI25N60N-F102-kuva

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCI25N60N-F102

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

1+

$7.79

10+

$6.958

100+

$5.705

500+

$4.62

1000+

$3.896

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

FCI25N60N-F102
Valmistaja / merkki

AMI Semiconductor/onsemi
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

FCI25N60N-F102.pdf
ECAD -malli
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

I2PAK (TO-262)
Sarja

SupreMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 12.5A, 10V
Tehonkulutus (Max)

216W (Tc)
Pakkaus

Tube
Pakkaus / Case

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Muut nimet

FCI25N60N_F102
FCI25N60N_F102-ND
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

3352pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Valua lähde jännite (Vdss)

600V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 600V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

laivaus

Maksu

Seuraava on "FCI25N60N-F102" -tuotteita.

IRFZ48NL

Kuvaus: MOSFET N-CH 55V 64A TO-262

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)

Varastossa

RUE002N05TL

Kuvaus: MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

IPB160N08S403ATMA1

IPB160N08S403ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH TO263-7

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)

Varastossa

NTMFS4C56NT3G

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 69A SO8FL

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

PH2030AL,115

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V LFPAK

valmistajat: NXP Semiconductors / Freescale

Varastossa

FDMS86500L

FDMS86500L

Kuvaus: MOSFET N CH 60V 25A 8-PQFN

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

STFU24N60M2

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 18A TO-220FP

valmistajat: STMicroelectronics

Varastossa

BUK7230-55A,118

BUK7230-55A,118

Kuvaus: MOSFET N-CH 55V 38A DPAK

valmistajat: Nexperia

Varastossa

STF19NF20

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FP

valmistajat: STMicroelectronics

Varastossa

FCI25N60N

FCI25N60N

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FCI7N60

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FQD4P25TF

FQD4P25TF

Kuvaus: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

APT6013JLL

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227

valmistajat: Microsemi Corporation

Varastossa

IXTP200N085T

Kuvaus: MOSFET N-CH 85V 200A TO-220

valmistajat: IXYS Corporation

Varastossa

IPU09N03LA G

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 50A TO-251

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)

Varastossa

2SJ600-Z-E1-AZ

2SJ600-Z-E1-AZ

Kuvaus: TRANSISTOR

valmistajat: Renesas Electronics America

Varastossa

IRF6892STRPBF

IRF6892STRPBF

Kuvaus: MOSFET N CH 25V 28A S3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)

Varastossa

FK8V03030L

Kuvaus: MOSFET N CH 33V 12A WMINI8

valmistajat: Panasonic

Varastossa

FDMA530PZ

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 6.8A MLP2X2

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FCI11N60

FCI11N60

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Uutiset Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.