Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > FCP190N65S3R0
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
6348986

FCP190N65S3R0

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
800+
$1.655
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    FCP190N65S3R0
  • Valmistaja / merkki
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    FCP190N65S3R0.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 1.7mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    TO-220-3
  • Sarja
    SuperFET® III
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 8.5A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    144W (Tc)
  • Pakkaus / Case
    TO-220-3
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Through Hole
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    1350pF @ 400V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    650V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 650V 17A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    17A (Tc)

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13.11.2024

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "FCP190N65S3R0" -tuotteita.
FCP1913H563G

FCP1913H563G

Kuvaus: CAP FILM 0.056UF 2% 50VDC 1913

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
FCP190N60

FCP190N60

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V TO220-3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FCP170N60

FCP170N60

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 22A TO220

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FCP165N65S3R0

FCP165N65S3R0

Kuvaus: SUPERFET3 650V TO220 PKG

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FCP1913H473J

FCP1913H473J

Kuvaus: CAP FILM 0.047UF 5% 50VDC 1913

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
FCP1913H473G

FCP1913H473G

Kuvaus: CAP FILM 0.047UF 2% 50VDC 1913

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
FCP1913H104G

FCP1913H104G

Kuvaus: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
FCP16N60N-F102

FCP16N60N-F102

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FCP16N60N

FCP16N60N

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 16A TO-220-3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FCP190N60-GF102

FCP190N60-GF102

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V TO-220-3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FCP16N60

FCP16N60

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 16A TO-220

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FCP1913H104J-E2

FCP1913H104J-E2

Kuvaus: CAP FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
FCP1913H104G-E2

FCP1913H104G-E2

Kuvaus: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
FCP1913H473J-E1

FCP1913H473J-E1

Kuvaus: CAP FILM 0.047UF 5% 50VDC 1913

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
FCP190N60E

FCP190N60E

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V TO220-3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FCP1913H104G-E3

FCP1913H104G-E3

Kuvaus: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
FCP1913H104J-E3

FCP1913H104J-E3

Kuvaus: CAP FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
FCP190N65F

FCP190N65F

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FCP190N65S3

FCP190N65S3

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FCP1913H473G-E1

FCP1913H473G-E1

Kuvaus: CAP FILM 0.047UF 2% 50VDC 1913

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.