Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > FCU2250N80Z
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
3514704FCU2250N80Z-kuvaAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCU2250N80Z

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$1.73
10+
$1.533
100+
$1.212
500+
$0.94
1000+
$0.742
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    FCU2250N80Z
  • Valmistaja / merkki
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    FCU2250N80Z.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 260µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    I-PAK
  • Sarja
    SuperFET® II
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    2.25 Ohm @ 1.3A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    39W (Tc)
  • Pakkaus
    Tube
  • Pakkaus / Case
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Through Hole
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    585pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    800V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 800V 2.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    2.6A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "FCU2250N80Z" -tuotteita.
IXTY4N65X2

IXTY4N65X2

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
IRFZ30PBF

IRFZ30PBF

Kuvaus: MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
FCU360N65S3R0

FCU360N65S3R0

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V IPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 0.115A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
GA05JT12-247

GA05JT12-247

Kuvaus: TRANS SJT 1200V 5A

valmistajat: GeneSiC Semiconductor
Varastossa
RFQ
FCU4300N80Z

FCU4300N80Z

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FCU-2

FCU-2

Kuvaus: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

valmistajat: Bussmann (Eaton)
Varastossa
RFQ
FCU7N60TU

FCU7N60TU

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FCUL0530-R47M=P3

FCUL0530-R47M=P3

Kuvaus: FIXED IND 470NH 16A 2.85 MOHM

valmistajat: Murata Electronics
Varastossa
RFQ
FCU850N80Z

FCU850N80Z

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FCU-7

FCU-7

Kuvaus: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

valmistajat: Bussmann (Eaton)
Varastossa
RFQ
FCU600N65S3R0

FCU600N65S3R0

Kuvaus: SUPERFET3 650V IPAK PKG

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FCU900N60Z

FCU900N60Z

Kuvaus: MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
IXTC200N10T

IXTC200N10T

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
SPA15N65C3XKSA1

SPA15N65C3XKSA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
FCU3400N80Z

FCU3400N80Z

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FCU5N60TU

FCU5N60TU

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
DMN90H8D5HCTI

DMN90H8D5HCTI

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
IRFBC40STRL

IRFBC40STRL

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
FQB2NA90TM

FQB2NA90TM

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.