Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > FDB8896-F085
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
5552904FDB8896-F085-kuvaAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB8896-F085

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$1.85
10+
$1.67
100+
$1.342
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    FDB8896-F085
  • Valmistaja / merkki
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    FDB8896-F085.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    TO-263AB
  • Sarja
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    5.7 mOhm @ 35A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    80W (Tc)
  • Pakkaus
    Original-Reel®
  • Pakkaus / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muut nimet
    FDB8896-F085DKR
    FDB8896_F085DKR
    FDB8896_F085DKR-ND
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    2525pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    67nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 30V 19A (Ta), 93A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-263AB
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    19A (Ta), 93A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "FDB8896-F085" -tuotteita.
FDB8832-F085

FDB8832-F085

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB8874

FDB8874

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB9406-F085

FDB9406-F085

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB9409-F085

FDB9409-F085

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 80A TO-263

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB9403L-F085

FDB9403L-F085

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 110A

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB8896

FDB8896

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB8876

FDB8876

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB8878

FDB8878

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB8880

FDB8880

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB8860

FDB8860

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDBA 50H 10-6 PN-K

FDBA 50H 10-6 PN-K

Kuvaus: FDBA 50H 10-6 PN-K

valmistajat: Agastat Relays / TE Connectivity
Varastossa
RFQ
FDB9506L-F085

FDB9506L-F085

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB9503L-F085

FDB9503L-F085

Kuvaus: MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB9403-F085

FDB9403-F085

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB8870-F085

FDB8870-F085

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB8860-F085

FDB8860-F085

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB9406L-F085

FDB9406L-F085

Kuvaus: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB9403_SN00268

FDB9403_SN00268

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB9409L-F085

FDB9409L-F085

Kuvaus: NMOS D2PAK 40V 3.5 MOHM

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB8870

FDB8870

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.