Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > FDH047AN08A0

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

3446458

FDH047AN08A0-kuva

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDH047AN08A0

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

1+

$7.02

10+

$6.264

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

FDH047AN08A0
Valmistaja / merkki

AMI Semiconductor/onsemi
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 75V 80A TO-247
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

FDH047AN08A0.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

TO-247
Sarja

PowerTrench®
RDS (Max) @ Id, Vgs

4.7 mOhm @ 80A, 10V
Tehonkulutus (Max)

310W (Tc)
Pakkaus

Tube
Pakkaus / Case

TO-247-3
Muut nimet

FDH047AN08A0-ND
FDH047AN08A0FS
Käyttölämpötila

-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi

Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

6600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

138nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

75V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 75V 15A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

laivaus

Maksu

Seuraava on "FDH047AN08A0" -tuotteita.

FDH400

Kuvaus: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDH300

Kuvaus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDH400_T50A

Kuvaus: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDH333

Kuvaus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDH300A_T50R

Kuvaus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDH333_T50R

Kuvaus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDH27N50

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 27A TO-247

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDH300_T50R

Kuvaus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDH15N50

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 15A TO-247

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDH038AN08A1

Kuvaus: MOSFET N-CH 75V 80A TO-247

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDH333TR

Kuvaus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDH3632

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 80A TO-247

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDH300A

Kuvaus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDH210N08

Kuvaus: MOSFET N-CH 75V 210A TO-247-3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDH300TR

Kuvaus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDH300ATR

Kuvaus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDH055N15A

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V TO-247-3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDH400TR

Kuvaus: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDH400_T50R

Kuvaus: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDH3595

Kuvaus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.