Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > FDN5618P_G
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
1496210

FDN5618P_G

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    FDN5618P_G
  • Valmistaja / merkki
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    INTEGRATED CIRCUIT
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    SuperSOT-3
  • Sarja
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    170 mOhm @ 1.25A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    500mW (Ta)
  • Pakkaus
    Bulk
  • Pakkaus / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    430pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13.8nC @ 10V
  • FET tyyppi
    P-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    60V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    P-Channel 60V 1.25A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    1.25A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "FDN5618P_G" -tuotteita.
FDN537N

FDN537N

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6.5A SSOT-3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDN372S

FDN372S

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDN358P

FDN358P

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDN86501LZ

FDN86501LZ

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 2.6A SSOT3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDN357N

FDN357N

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDN86265P

FDN86265P

Kuvaus: MOSFET P-CH 150V 0.8A 3SSOT

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDN371N

FDN371N

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 2.5A SSOT-3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDN359AN

FDN359AN

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDN86246

FDN86246

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 1.6A 3SSOT

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDN342P

FDN342P

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDN360P

FDN360P

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDN5630

FDN5630

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDN8601

FDN8601

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDN5618P

FDN5618P

Kuvaus: MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDN361BN

FDN361BN

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDN352AP

FDN352AP

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDN5632N-F085

FDN5632N-F085

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT

valmistajat: Fairchild/ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDN361AN

FDN361AN

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.