Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > FQA7N80C-F109
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
3370031FQA7N80C-F109-kuvaAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQA7N80C-F109

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$3.23
10+
$2.92
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    FQA7N80C-F109
  • Valmistaja / merkki
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    FQA7N80C-F109.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    TO-3PN
  • Sarja
    QFET®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    198W (Tc)
  • Pakkaus
    Tube
  • Pakkaus / Case
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Muut nimet
    FQA7N80C_F109
    FQA7N80C_F109-ND
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Through Hole
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    5 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    1680pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    35nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    800V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 800V 7A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    7A (Tc)

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13.11.2024

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

13.11.2024

What is an embedded system?

12.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "FQA7N80C-F109" -tuotteita.
FQA7N80C

FQA7N80C

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQA8N100C

FQA8N100C

Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQA7N80_F109

FQA7N80_F109

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQA7N60

FQA7N60

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 7.7A TO-3P

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQA70N10

FQA70N10

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQA8N80C_F109

FQA8N80C_F109

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQA7N90

FQA7N90

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQA7N90M

FQA7N90M

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQA6N90

FQA6N90

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQA6N90C-F109

FQA6N90C-F109

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQA7N90M_F109

FQA7N90M_F109

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQA85N06

FQA85N06

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQA70N15

FQA70N15

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P

valmistajat: Fairchild/ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQA8N90C

FQA8N90C

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQA7N80

FQA7N80

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQA8N80C

FQA8N80C

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQA6N90_F109

FQA6N90_F109

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQA7N90_F109

FQA7N90_F109

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQA6N80

FQA6N80

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQA6N80_F109

FQA6N80_F109

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.