Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > FQB22P10TM-F085

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

4227962

FQB22P10TM-F085-kuva

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQB22P10TM-F085

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

800+

$1.335

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

FQB22P10TM-F085
Valmistaja / merkki

AMI Semiconductor/onsemi
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

FQB22P10TM-F085.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

D²PAK (TO-263AB)
Sarja

Automotive, AEC-Q101, QFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 11A, 10V
Tehonkulutus (Max)

3.75W (Ta), 125W (Tc)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet

FQB22P10TM-F085TR
FQB22P10TM_F085
FQB22P10TM_F085TR
FQB22P10TM_F085TR-ND
FQB22P10TMF085
Käyttölämpötila

-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V
FET tyyppi

P-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Valua lähde jännite (Vdss)

100V
Yksityiskohtainen kuvaus

P-Channel 100V 22A (Tc) 3.75W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

22A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

What is an embedded system?

laivaus

Maksu

Seuraava on "FQB22P10TM-F085" -tuotteita.

FQB25N33TM-F085

FQB25N33TM-F085

Kuvaus: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FQB19N20TM

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FQB24N08TM

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 24A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FQB2N30TM

Kuvaus: MOSFET N-CH 300V 2.1A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FQB19N10LTM

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FQB27N25TM_AM002

FQB27N25TM_AM002

Kuvaus: MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FQB2N80TM

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FQB2N50TM

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FQB22P10TM

Kuvaus: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FQB19N10TM

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FQB27N25TM-F085

FQB27N25TM-F085

Kuvaus: MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FQB1P50TM

Kuvaus: MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FQB1N60TM

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FQB19N20CTM

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FQB27P06TM

Kuvaus: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FQB19N20LTM

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FQB20N06TM

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 20A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FQB25N33TM

Kuvaus: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FQB20N06LTM

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 21A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FQB2N60TM

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.