Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > FQD30N06TF_F080
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
5621020

FQD30N06TF_F080

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    FQD30N06TF_F080
  • Valmistaja / merkki
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    FQD30N06TF_F080.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    D-Pak
  • Sarja
    QFET®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    45 mOhm @ 11.4A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    2.5W (Ta), 44W (Tc)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    945pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    60V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 60V 22.7A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    22.7A (Tc)

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13.11.2024

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "FQD30N06TF_F080" -tuotteita.
FQD3N30TM

FQD3N30TM

Kuvaus: MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQD30N06TM

FQD30N06TM

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQD3N30TF

FQD3N30TF

Kuvaus: MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQD3N40TF

FQD3N40TF

Kuvaus: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQD30N06LTF

FQD30N06LTF

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQD3N60TM

FQD3N60TM

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQD3N50CTF

FQD3N50CTF

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQD2N80TM_WS

FQD2N80TM_WS

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQD2P40TM

FQD2P40TM

Kuvaus: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQD2P40TF_F080

FQD2P40TF_F080

Kuvaus: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQD3N40TM

FQD3N40TM

Kuvaus: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQD30N06TF

FQD30N06TF

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQD30N06LTM

FQD30N06LTM

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQD3N60TF

FQD3N60TF

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQD2N90TF

FQD2N90TF

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQD2N80TM

FQD2N80TM

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQD3N50CTM

FQD3N50CTM

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQD2N90TM

FQD2N90TM

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQD3N60CTM-WS

FQD3N60CTM-WS

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQD2P40TF

FQD2P40TF

Kuvaus: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.