Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > FQE10N20CTU
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
5629633FQE10N20CTU-kuvaAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQE10N20CTU

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    FQE10N20CTU
  • Valmistaja / merkki
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    FQE10N20CTU.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    TO-126
  • Sarja
    QFET®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    360 mOhm @ 2A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    12.8W (Tc)
  • Pakkaus
    Tube
  • Pakkaus / Case
    TO-225AA, TO-126-3
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Through Hole
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    510pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    200V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 200V 4A (Tc) 12.8W (Tc) Through Hole TO-126
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "FQE10N20CTU" -tuotteita.
FQE10N20LCTU

FQE10N20LCTU

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 4A TO-126

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
SPP03N60C3HKSA1

SPP03N60C3HKSA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
STD100NH02LT4

STD100NH02LT4

Kuvaus: MOSFET N-CH 24V 60A DPAK

valmistajat: STMicroelectronics
Varastossa
RFQ
PMN20EN,115

PMN20EN,115

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6TSOP

valmistajat: NXP Semiconductors / Freescale
Varastossa
RFQ
FDB024N06

FDB024N06

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
IPB407N30NATMA1

IPB407N30NATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
AO3434A

AO3434A

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

valmistajat: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Varastossa
RFQ
IRF6648TRPBF

IRF6648TRPBF

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IXTC180N085T

IXTC180N085T

Kuvaus: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
IXFH20N100P

IXFH20N100P

Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
SIHB35N60E-GE3

SIHB35N60E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
IPI100N06S3L-03

IPI100N06S3L-03

Kuvaus: MOSFET N-CH 55V 100A TO-262

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IXTN102N65X2

IXTN102N65X2

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
IPD90R1K2C3ATMA1

IPD90R1K2C3ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
STB80NE03L-06T4

STB80NE03L-06T4

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

valmistajat: STMicroelectronics
Varastossa
RFQ
IRFR540ZPBF

IRFR540ZPBF

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
PMZB420UN,315

PMZB420UN,315

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN

valmistajat: Nexperia
Varastossa
RFQ
SIR850DP-T1-GE3

SIR850DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
STP10NK70Z

STP10NK70Z

Kuvaus: MOSFET N-CH 700V 8.6A TO-220

valmistajat: STMicroelectronics
Varastossa
RFQ
BSC022N03SG

BSC022N03SG

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.