Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - IGBTs - Single > HGT1S2N120CN
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
2376359

HGT1S2N120CN

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    HGT1S2N120CN
  • Valmistaja / merkki
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    HGT1S2N120CN.pdf
  • Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)
    1200V
  • Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 2.6A
  • Testaa kunto
    960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V
  • Td (päällä / pois) @ 25 ° C
    25ns/205ns
  • Switching Energy
    96µJ (on), 355µJ (off)
  • Toimittaja Device Package
    TO-262
  • Sarja
    -
  • Virta - Max
    104W
  • Pakkaus
    Tube
  • Pakkaus / Case
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Through Hole
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Syötetyyppi
    Standard
  • IGBT Tyyppi
    NPT
  • Gate Charge
    30nC
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    IGBT NPT 1200V 13A 104W Through Hole TO-262
  • Nykyinen - Collector Pulssi (ICM)
    20A
  • Nykyinen - Collector (le) (Max)
    13A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "HGT1S2N120CN" -tuotteita.
HGTD7N60C3S9A

HGTD7N60C3S9A

Kuvaus: IGBT 600V 14A 60W TO252AA

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
HGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST

Kuvaus: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
HGT1S7N60A4DS

HGT1S7N60A4DS

Kuvaus: IGBT 600V 34A 125W TO263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
HGT1S10N120BNS

HGT1S10N120BNS

Kuvaus: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
HGT1S12N60A4S9A

HGT1S12N60A4S9A

Kuvaus: IGBT 600V 54A 167W TO263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
HGT1S20N60A4S9A

HGT1S20N60A4S9A

Kuvaus: IGBT 600V 70A 290W TO263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
HGT1S7N60C3DS9A

HGT1S7N60C3DS9A

Kuvaus: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
HGTG10N120BND

HGTG10N120BND

Kuvaus: IGBT 1200V 35A 298W TO247

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
HGTG11N120CN

HGTG11N120CN

Kuvaus: IGBT 1200V 43A 298W TO247

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
HGT1S20N36G3VL

HGT1S20N36G3VL

Kuvaus: IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
HGT1S20N35G3VLS

HGT1S20N35G3VLS

Kuvaus: IGBT 380V 20A 150W TO263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
HGT1S3N60A4DS9A

HGT1S3N60A4DS9A

Kuvaus: IGBT 600V 17A 70W D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
HGT1S14N36G3VLT

HGT1S14N36G3VLT

Kuvaus: IGBT 390V 18A 100W TO262AA

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
HGT1S14N36G3VLS

HGT1S14N36G3VLS

Kuvaus: IGBT 390V 18A 100W TO263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
HGTD3N60C3S9A

HGTD3N60C3S9A

Kuvaus: IGBT 600V 6A 33W TO252AA

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
HGTG11N120CND

HGTG11N120CND

Kuvaus: IGBT 1200V 43A 298W TO247

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
HGT1S20N60C3S9A

HGT1S20N60C3S9A

Kuvaus: IGBT 600V 45A 164W TO263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
HGT1S7N60C3DS

HGT1S7N60C3DS

Kuvaus: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

Kuvaus: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
HGT1S12N60A4DS

HGT1S12N60A4DS

Kuvaus: IGBT 600V 54A 167W D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.