Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > ISL9N303AS3ST

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

2871823

ISL9N303AS3ST-kuva

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

ISL9N303AS3ST

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

ISL9N303AS3ST
Valmistaja / merkki

AMI Semiconductor/onsemi
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

ISL9N303AS3ST.pdf
ECAD -malli
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

D²PAK (TO-263AB)
Sarja

UltraFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs

3.2 mOhm @ 75A, 10V
Tehonkulutus (Max)

215W (Tc)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Käyttölämpötila

-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

7000pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

172nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

30V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 30V 75A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

laivaus

Maksu

Seuraava on "ISL9N303AS3ST" -tuotteita.

ISL9N302AS3ST

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

ISL9R1560P2-F085

ISL9R1560P2-F085

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

ISL9R1560S3ST

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263-2

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

ISL9K3060G3

Kuvaus: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

ISL9N302AP3

ISL9N302AP3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

ISL9R30120G2

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

ISL9R1560PF2

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

ISL9N303AP3

ISL9N303AP3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

ISL9R1560P2

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

ISL9K30120G3

Kuvaus: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

ISL9R1560G2-F085

ISL9R1560G2-F085

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 15A TO247

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

ISL9K860P3

ISL9K860P3

Kuvaus: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

ISL9R18120S3ST

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

ISL9K460P3

ISL9K460P3

Kuvaus: DIODE ARRAY GP 600V 4A TO220

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

ISL9R18120G2

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

ISL9R1560G2

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 15A TO247

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

ISL9N302AS3

ISL9N302AS3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

ISL9N303AS3

ISL9N303AS3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

ISL9K8120P3

ISL9K8120P3

Kuvaus: DIODE ARRAY GP 1200V 8A TO220

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

ISL9R18120P2

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO220AC

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Uutiset Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.