Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - IGBTs - Single > NGTD23T120F2WP
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
4771914

NGTD23T120F2WP

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
104+
$3.266
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    NGTD23T120F2WP
  • Valmistaja / merkki
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    NGTD23T120F2WP.pdf
  • Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)
    1200V
  • Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 25A
  • Testaa kunto
    -
  • Td (päällä / pois) @ 25 ° C
    -
  • Switching Energy
    -
  • Toimittaja Device Package
    Die
  • Sarja
    -
  • Pakkaus
    Bulk
  • Pakkaus / Case
    Die
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Valmistajan toimitusaika
    4 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Syötetyyppi
    Standard
  • IGBT Tyyppi
    Trench Field Stop
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    IGBT Trench Field Stop 1200V Surface Mount Die
  • Nykyinen - Collector Pulssi (ICM)
    120A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "NGTD23T120F2WP" -tuotteita.
NGTD28T65F2WP

NGTD28T65F2WP

Kuvaus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD5R65F2WP

NGTD5R65F2WP

Kuvaus: DIODE GEN PURP 650V DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD30T120F2WP

NGTD30T120F2WP

Kuvaus: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD20T120F2SWK

NGTD20T120F2SWK

Kuvaus: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD20T120F2WP

NGTD20T120F2WP

Kuvaus: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD21T65F2SWK

NGTD21T65F2SWK

Kuvaus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD17R120F2SWK

NGTD17R120F2SWK

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD8R65F2WP

NGTD8R65F2WP

Kuvaus: DIODE GEN PURP 650V DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD30T120F2SWK

NGTD30T120F2SWK

Kuvaus: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD9R120F2WP

NGTD9R120F2WP

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD23T120F2SWK

NGTD23T120F2SWK

Kuvaus: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD17T65F2SWK

NGTD17T65F2SWK

Kuvaus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD17R120F2WP

NGTD17R120F2WP

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD15R65F2WP

NGTD15R65F2WP

Kuvaus: DIODE GEN PURP 650V DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD21T65F2WP

NGTD21T65F2WP

Kuvaus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD17T65F2WP

NGTD17T65F2WP

Kuvaus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD9R120F2SWK

NGTD9R120F2SWK

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD28T65F2SWK

NGTD28T65F2SWK

Kuvaus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD8R65F2SWK

NGTD8R65F2SWK

Kuvaus: DIODE GEN PURP 650V DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD5R65F2SWK

NGTD5R65F2SWK

Kuvaus: DIODE GEN PURP 650V DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.