Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - IGBTs - Single > NGTG40N120FL2WG
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
4920919NGTG40N120FL2WG-kuvaAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTG40N120FL2WG

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$8.25
30+
$7.103
120+
$6.168
510+
$5.371
1020+
$4.678
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    NGTG40N120FL2WG
  • Valmistaja / merkki
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    IGBT 1200V 40A TO-247
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    NGTG40N120FL2WG.pdf
  • Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)
    1200V
  • Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 40A
  • Testaa kunto
    600V, 40A, 10 Ohm, 15V
  • Td (päällä / pois) @ 25 ° C
    116ns/286ns
  • Switching Energy
    3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
  • Toimittaja Device Package
    TO-247-3
  • Sarja
    -
  • Virta - Max
    535W
  • Pakkaus
    Tube
  • Pakkaus / Case
    TO-247-3
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Through Hole
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    4 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Syötetyyppi
    Standard
  • IGBT Tyyppi
    Trench Field Stop
  • Gate Charge
    313nC
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 535W Through Hole TO-247-3
  • Nykyinen - Collector Pulssi (ICM)
    200A
  • Nykyinen - Collector (le) (Max)
    80A

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13.11.2024

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

13.11.2024

What is an embedded system?

12.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "NGTG40N120FL2WG" -tuotteita.
NGTD5R65F2SWK

NGTD5R65F2SWK

Kuvaus: DIODE GEN PURP 650V DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTG50N60FWG

NGTG50N60FWG

Kuvaus: IGBT 600V 100A 223W TO247

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTG30N60FWG

NGTG30N60FWG

Kuvaus: IGBT 600V 60A 167W TO247

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD28T65F2SWK

NGTD28T65F2SWK

Kuvaus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD8R65F2SWK

NGTD8R65F2SWK

Kuvaus: DIODE GEN PURP 650V DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD9R120F2SWK

NGTD9R120F2SWK

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD8R65F2WP

NGTD8R65F2WP

Kuvaus: DIODE GEN PURP 650V DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTG20N60L2TF1G

NGTG20N60L2TF1G

Kuvaus: IGBT 600V 40A 64W TO-3PF

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD30T120F2WP

NGTD30T120F2WP

Kuvaus: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTG50N60FLWG

NGTG50N60FLWG

Kuvaus: IGBT 600V 50A TO247

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD30T120F2SWK

NGTD30T120F2SWK

Kuvaus: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD5R65F2WP

NGTD5R65F2WP

Kuvaus: DIODE GEN PURP 650V DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTG30N60FLWG

NGTG30N60FLWG

Kuvaus: IGBT 600V 60A 250W TO247

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD9R120F2WP

NGTD9R120F2WP

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTG12N60TF1G

NGTG12N60TF1G

Kuvaus: IGBT 600V 24A 54W TO-3PF

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTG35N65FL2WG

NGTG35N65FL2WG

Kuvaus: IGBT 650V 60A 167W TO247

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTG15N120FL2WG

NGTG15N120FL2WG

Kuvaus: IGBT 1200V 15A TO-247

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTG25N120FL2WG

NGTG25N120FL2WG

Kuvaus: IGBT 1200V 25A TO-247

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTD28T65F2WP

NGTD28T65F2WP

Kuvaus: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NGTG15N60S1EG

NGTG15N60S1EG

Kuvaus: IGBT 600V 30A 117W TO220-3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.