Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - Bipolar (BJT) - Yksittäinen, esiase > NSBA113EF3T5G
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
6557791NSBA113EF3T5G-kuvaAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBA113EF3T5G

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
8000+
$0.098
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    NSBA113EF3T5G
  • Valmistaja / merkki
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    TRANS PREBIAS DUAL PNP
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    NSBA113EF3T5G.pdf
  • Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 10mA
  • transistori tyyppi
    PNP - Pre-Biased
  • Toimittaja Device Package
    SOT-1123
  • Sarja
    -
  • Vastus - emitteripohja (R2)
    1 kOhms
  • Vastus - pohja (R1)
    1 kOhms
  • Virta - Max
    254mW
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    SOT-1123
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    6 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123
  • DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    3 @ 5mA, 10V
  • Nykyinen - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Nykyinen - Collector (le) (Max)
    100mA

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13.11.2024

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "NSBA113EF3T5G" -tuotteita.
NSBA114EF3T5G

NSBA114EF3T5G

Kuvaus: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NSBA113EDXV6T1G

NSBA113EDXV6T1G

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NSBA114TDXV6T1

NSBA114TDXV6T1

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NSBA114EDXV6T5G

NSBA114EDXV6T5G

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NSBA114EDXV6T1G

NSBA114EDXV6T1G

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NSBA114EDXV6T5

NSBA114EDXV6T5

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NSBA114TDXV6T5

NSBA114TDXV6T5

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NSB8MTHE3_A/P

NSB8MTHE3_A/P

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
NSBA114TDP6T5G

NSBA114TDP6T5G

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NSB8MTHE3_A/I

NSB8MTHE3_A/I

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
NSB9435T1G

NSB9435T1G

Kuvaus: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NSBA114TF3T5G

NSBA114TF3T5G

Kuvaus: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NSBA113EDXV6T1

NSBA113EDXV6T1

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NSB8MT-E3/81

NSB8MT-E3/81

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
NSB8MTHE3/45

NSB8MTHE3/45

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
NSB9703

NSB9703

Kuvaus: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'

valmistajat: Desco
Varastossa
RFQ
NSBA114YDP6T5G

NSBA114YDP6T5G

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NSB8MT-E3/45

NSB8MT-E3/45

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
NSB8MTHE3/81

NSB8MTHE3/81

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
NSBA114EDP6T5G

NSBA114EDP6T5G

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.