Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - bipolaarinen (BJT) - ristikot, esia > NSBA123JDXV6T5G

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

3326026

NSBA123JDXV6T5G-kuva

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBA123JDXV6T5G

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

8000+

$0.077

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

NSBA123JDXV6T5G
Valmistaja / merkki

AMI Semiconductor/onsemi
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

NSBA123JDXV6T5G.pdf
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
transistori tyyppi

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Toimittaja Device Package

SOT-563
Sarja

-
Vastus - emitteripohja (R2)

47 kOhms
Vastus - pohja (R1)

2.2 kOhms
Virta - Max

500mW
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

SOT-563, SOT-666
Muut nimet

NSBA123JDXV6T5GOS
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

6 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Taajuus - Siirtyminen

-
Yksityiskohtainen kuvaus

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max)

500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max)

100mA
Perusosan osanumero

NSBA1*

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

What is an embedded system?

laivaus

Maksu

Seuraava on "NSBA123JDXV6T5G" -tuotteita.

NSBA123EDXV6T1G

NSBA123EDXV6T1G

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

NSBA124EDP6T5G

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

NSBA123JDP6T5G

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

NSBA115TF3T5G

Kuvaus: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

NSBA123TDP6T5G

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

NSBA124EDXV6T5G

NSBA124EDXV6T5G

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

NSBA124XDXV6T1

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

NSBA124XDXV6T1G

NSBA124XDXV6T1G

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

NSBA124EDXV6T1G

NSBA124EDXV6T1G

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

NSBA124EF3T5G

Kuvaus: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

NSBA123JDXV6T1G

NSBA123JDXV6T1G

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

NSBA123TF3T5G

Kuvaus: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

NSBA115TDP6T5G

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

NSBA123JF3T5G

Kuvaus: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

NSBA123EDXV6T1

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

NSBA115EDXV6T1G

NSBA115EDXV6T1G

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

NSBA114YF3T5G

Kuvaus: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

NSBA123JDXV6T1

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

NSBA124EDXV6T1

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

NSBA123EF3T5G

Kuvaus: TRANS PREBIAS DUAL PNP

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.