Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > NTMS10P02R2G
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
2752877

NTMS10P02R2G

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
2500+
$0.748
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    NTMS10P02R2G
  • Valmistaja / merkki
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    NTMS10P02R2G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    8-SOIC
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    14 mOhm @ 10A, 4.5V
  • Tehonkulutus (Max)
    1.6W (Ta)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muut nimet
    NTMS10P02R2GOS
    NTMS10P02R2GOS-ND
    NTMS10P02R2GOSTR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    17 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    3640pF @ 16V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    70nC @ 4.5V
  • FET tyyppi
    P-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    20V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    P-Channel 20V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    8.8A (Ta)

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13.11.2024

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

13.11.2024

What is an embedded system?

12.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "NTMS10P02R2G" -tuotteita.
NTMFS6H800NT1G

NTMFS6H800NT1G

Kuvaus: TRENCH 8 80V NFET

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NTMFS6H801NT1G

NTMFS6H801NT1G

Kuvaus: TRENCH 8 80V NFET

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NTMFS6B14NT1G

NTMFS6B14NT1G

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 10A SO8FL

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NTMS4101PR2

NTMS4101PR2

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NTMKE4891NT1G

NTMKE4891NT1G

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 129A ICEPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NTMS3P03R2G

NTMS3P03R2G

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NTMKB4895NT1G

NTMKB4895NT1G

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 15A ICEPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NTMS4503NR2G

NTMS4503NR2G

Kuvaus: MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NTMFS6H818NT1G

NTMFS6H818NT1G

Kuvaus: TRENCH 8 80V NFET

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NTMKE4892NT1G

NTMKE4892NT1G

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 126A ICEPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NTMS4107NR2G

NTMS4107NR2G

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NTMS3P03R2

NTMS3P03R2

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NTMFS6B14NT3G

NTMFS6B14NT3G

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 10A SO8FL

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NTMS4176PR2G

NTMS4176PR2G

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 5.5A 8-SOIC

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NTMS10P02R2

NTMS10P02R2

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NTMS4503NR2

NTMS4503NR2

Kuvaus: MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NTMFS6B05NT3G

NTMFS6B05NT3G

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 16A SO8FL

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NTMS4404NR2

NTMS4404NR2

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NTMS4503NSR2G

NTMS4503NSR2G

Kuvaus: MOSFET N-CH 28V 14A 8SO

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NTMS4177PR2G

NTMS4177PR2G

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.