Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > NVC3S5A51PLZT1G
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
5310721NVC3S5A51PLZT1G-kuvaAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVC3S5A51PLZT1G

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
3000+
$0.255
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    NVC3S5A51PLZT1G
  • Valmistaja / merkki
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    NVC3S5A51PLZT1G.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.6V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    3-CPH
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    250 mOhm @ 1A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    1.2W (Ta)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muut nimet
    NVC3S5A51PLZT1G-ND
    NVC3S5A51PLZT1GOSTR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    12 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    262pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6nC @ 10V
  • FET tyyppi
    P-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    60V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    P-Channel 60V 1.8A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 3-CPH
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    1.8A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "NVC3S5A51PLZT1G" -tuotteita.
IPP90R800C3XKSA1

IPP90R800C3XKSA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-220

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IXKK85N60C

IXKK85N60C

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 85A TO-264

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
TP5322N8-G

TP5322N8-G

Kuvaus: MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3

valmistajat: Micrel / Microchip Technology
Varastossa
RFQ
AON6404A_001

AON6404A_001

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 25A DFN5X6

valmistajat: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Varastossa
RFQ
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13

Kuvaus: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
IPD180N10N3GBTMA1

IPD180N10N3GBTMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
BUK6212-40C,118

BUK6212-40C,118

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 50A DPAK

valmistajat: Nexperia
Varastossa
RFQ
BUK7535-55A,127

BUK7535-55A,127

Kuvaus: MOSFET N-CH 55V 35A TO220AB

valmistajat: Nexperia
Varastossa
RFQ
BSP295L6327HTSA1

BSP295L6327HTSA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
NTP5411NG

NTP5411NG

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
NVC6S5A354PLZT1G

NVC6S5A354PLZT1G

Kuvaus: MOSFET P-CHANNEL 60V 4A 6-CPH

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
IXFC30N60P

IXFC30N60P

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
IRF3709ZSTRR

IRF3709ZSTRR

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
SI7882DP-T1-E3

SI7882DP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
STI23NM60N

STI23NM60N

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK

valmistajat: STMicroelectronics
Varastossa
RFQ
IRL3715ZL

IRL3715ZL

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 50A TO-262

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
BUK9E2R3-40E,127

BUK9E2R3-40E,127

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

valmistajat: NXP Semiconductors / Freescale
Varastossa
RFQ
IPF09N03LA G

IPF09N03LA G

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
TPCA8045-H(T2L1,VM

TPCA8045-H(T2L1,VM

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 46A 8-SOP ADV

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
AUIRF7478Q

AUIRF7478Q

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.