Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > NVJS4151PT1G

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

5171648

NVJS4151PT1G-kuva

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVJS4151PT1G

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

3000+

$0.161

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

NVJS4151PT1G
Valmistaja / merkki

AMI Semiconductor/onsemi
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

NVJS4151PT1G.pdf
ECAD -malli
Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

SC-88/SC70-6/SOT-363
Sarja

-
RDS (Max) @ Id, Vgs

67 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Tehonkulutus (Max)

1.2W (Ta)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Muut nimet

NVJS4151PT1G-ND
NVJS4151PT1GOSTR
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

44 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V
FET tyyppi

P-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Valua lähde jännite (Vdss)

20V
Yksityiskohtainen kuvaus

P-Channel 20V 3.2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

3.2A (Ta)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

laivaus

Maksu

Seuraava on "NVJS4151PT1G" -tuotteita.

DMN2011UFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

IRF7426TR

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 8-SOIC

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)

Varastossa

FDMS8672S

FDMS8672S

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 17A POWER56

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

DMN3110LCP3-7

DMN3110LCP3-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

2SK3662(F)

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

AO3404A_104

AO3404A_104

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V SOT23

valmistajat: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

Varastossa

IPA60R190E6XKSA1

IPA60R190E6XKSA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)

Varastossa

NVJD5121NT1G

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FQP5N20L

FQP5N20L

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 4.5A TO-220

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDN338P

FDN338P

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

RE1J002YNTCL

Kuvaus: MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RV2C001ZPT2L

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 0.1A VML1006

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

SPU30P06P

Kuvaus: MOSFET P-CH 60V 30A IPAK

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)

Varastossa

AOK40N30L

Kuvaus: MOSFET N-CH 300V 40A TO247

valmistajat: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

Varastossa

IRFR3505TRPBF

IRFR3505TRPBF

Kuvaus: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)

Varastossa

NVJS4405NT1G

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 1.2A SC88

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

NVJD4401NT1G

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

RSS090P03FU7TB

RSS090P03FU7TB

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

STP24NM60N

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 17A TO220

valmistajat: STMicroelectronics

Varastossa

SI4842BDY-T1-GE3

SI4842BDY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Uutiset Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.