Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Integroituneet piirit (ICS) > Muisti > AS4C16M32MSA-6BIN
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
5548335AS4C16M32MSA-6BIN-kuvaAlliance Memory, Inc.

AS4C16M32MSA-6BIN

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$6.06
10+
$5.529
25+
$5.424
50+
$5.387
190+
$4.832
380+
$4.814
570+
$4.513
1140+
$4.321
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    AS4C16M32MSA-6BIN
  • Valmistaja / merkki
    Alliance Memory, Inc.
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    AS4C16M32MSA-6BIN.pdf
  • ECAD -malli
  • Kirjoita työkiertoaika - sana, sivu
    15ns
  • Jännite - Supply
    1.7 V ~ 1.95 V
  • teknologia
    SDRAM - Mobile SDRAM
  • Toimittaja Device Package
    90-FBGA (8x13)
  • Sarja
    -
  • Pakkaus
    Tray
  • Pakkaus / Case
    90-VFBGA
  • Muut nimet
    1450-1458
    AS4C16M32MSA-6BIN-ND
  • Käyttölämpötila
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    3 (168 Hours)
  • muistin tyyppi
    Volatile
  • muistin koko
    512Mb (16M x 32)
  • Muistipiiri
    Parallel
  • Muistimuoto
    DRAM
  • Valmistajan toimitusaika
    8 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    SDRAM - Mobile SDRAM Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-FBGA (8x13)
  • Kellotaajuus
    166MHz
  • Access Time
    5.4ns

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "AS4C16M32MSA-6BIN" -tuotteita.
AS4C256M16D3-12BAN

AS4C256M16D3-12BAN

Kuvaus: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

valmistajat: Alliance Memory, Inc.
Varastossa
RFQ
AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

Kuvaus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

valmistajat: Alliance Memory, Inc.
Varastossa
RFQ
AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

Kuvaus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

valmistajat: Alliance Memory, Inc.
Varastossa
RFQ
AS4C1M16S-7TCN

AS4C1M16S-7TCN

Kuvaus: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP

valmistajat: Alliance Memory, Inc.
Varastossa
RFQ
AS4C16M16SA-7TCN

AS4C16M16SA-7TCN

Kuvaus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

valmistajat: Alliance Memory, Inc.
Varastossa
RFQ
AS4C1M16S-6TCN

AS4C1M16S-6TCN

Kuvaus: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

valmistajat: Alliance Memory, Inc.
Varastossa
RFQ
AS4C1M16S-6TCNTR

AS4C1M16S-6TCNTR

Kuvaus: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

valmistajat: Alliance Memory, Inc.
Varastossa
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCN

AS4C16M32MD1-5BCN

Kuvaus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

valmistajat: Alliance Memory, Inc.
Varastossa
RFQ
AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

Kuvaus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

valmistajat: Alliance Memory, Inc.
Varastossa
RFQ
AS4C1M16S-6TIN

AS4C1M16S-6TIN

Kuvaus: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

valmistajat: Alliance Memory, Inc.
Varastossa
RFQ
AS4C1G8MD3L-12BCNTR

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

Kuvaus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

valmistajat: Alliance Memory, Inc.
Varastossa
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCNTR

AS4C16M32MD1-5BCNTR

Kuvaus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

valmistajat: Alliance Memory, Inc.
Varastossa
RFQ
AS4C16M32MD1-5BIN

AS4C16M32MD1-5BIN

Kuvaus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

valmistajat: Alliance Memory, Inc.
Varastossa
RFQ
AS4C16M16SA-7TCNTR

AS4C16M16SA-7TCNTR

Kuvaus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

valmistajat: Alliance Memory, Inc.
Varastossa
RFQ
AS4C16M32MD1-5BINTR

AS4C16M32MD1-5BINTR

Kuvaus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

valmistajat: Alliance Memory, Inc.
Varastossa
RFQ
AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

Kuvaus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

valmistajat: Alliance Memory, Inc.
Varastossa
RFQ
AS4C1M16S-7TCNTR

AS4C1M16S-7TCNTR

Kuvaus: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

valmistajat: Alliance Memory, Inc.
Varastossa
RFQ
AS4C1G8MD3L-12BCN

AS4C1G8MD3L-12BCN

Kuvaus: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

valmistajat: Alliance Memory, Inc.
Varastossa
RFQ
AS4C1M16S-6TINTR

AS4C1M16S-6TINTR

Kuvaus: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

valmistajat: Alliance Memory, Inc.
Varastossa
RFQ
AS4C16M32MSA-6BINTR

AS4C16M32MSA-6BINTR

Kuvaus: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

valmistajat: Alliance Memory, Inc.
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.