Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - Bipolar (BJT) - Yksittäinen, esiase > DDTD113ZC-7-F
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
949785DDTD113ZC-7-F-kuvaDiodes Incorporated

DDTD113ZC-7-F

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
3000+
$0.056
6000+
$0.048
15000+
$0.041
30000+
$0.039
75000+
$0.036
150000+
$0.031
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DDTD113ZC-7-F
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DDTD113ZC-7-F.pdf
  • ECAD -malli
  • Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • transistori tyyppi
    NPN - Pre-Biased
  • Toimittaja Device Package
    SOT-23-3
  • Sarja
    -
  • Vastus - emitteripohja (R2)
    10 kOhms
  • Vastus - pohja (R1)
    1 kOhms
  • Virta - Max
    200mW
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muut nimet
    DDTD113ZC-7-F-ND
    DDTD113ZC-7-FDITR
    DDTD113ZC-7-FDITR-ND
    DDTD113ZC-7FDITR
    DDTD113ZC7F
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    12 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Taajuus - Siirtyminen
    200MHz
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
  • DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    56 @ 50mA, 5V
  • Nykyinen - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Nykyinen - Collector (le) (Max)
    500mA
  • Perusosan osanumero
    DTD113

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DDTD113ZC-7-F" -tuotteita.
DDTD122JC-7-F

DDTD122JC-7-F

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DDTD113EU-7-F

DDTD113EU-7-F

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DDTD114TU-7-F

DDTD114TU-7-F

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DDTD113ZU-7-F

DDTD113ZU-7-F

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DDTD113EC-7-F

DDTD113EC-7-F

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DDTD114GC-7-F

DDTD114GC-7-F

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DDTD114GU-7-F

DDTD114GU-7-F

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DDTD114EC-7-F

DDTD114EC-7-F

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DDTD122JU-7-F

DDTD122JU-7-F

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DDTC144WCA-7

DDTC144WCA-7

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DDTC144WE-7-F

DDTC144WE-7-F

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DDTC144VUA-7-F

DDTC144VUA-7-F

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DDTD114TC-7-F

DDTD114TC-7-F

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DDTD122LC-7

DDTD122LC-7

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DDTD114EU-7-F

DDTD114EU-7-F

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DDTC144WKA-7-F

DDTC144WKA-7-F

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DDTC144WCA-7-F

DDTC144WCA-7-F

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DDTC144WUA-7

DDTC144WUA-7

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DDTC144WUA-7-F

DDTC144WUA-7-F

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DDTC144WE-7

DDTC144WE-7

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.