Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMG4812SSS-13
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
3650690DMG4812SSS-13-kuvaDiodes Incorporated

DMG4812SSS-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$0.62
10+
$0.521
100+
$0.391
500+
$0.287
1000+
$0.222
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMG4812SSS-13
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMG4812SSS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    8-SO
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 10.7A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    1.54W (Ta)
  • Pakkaus
    Original-Reel®
  • Pakkaus / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muut nimet
    DMG4812SSS-13DIDKR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    1849pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18.5nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    Schottky Diode (Body)
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 30V 8A (Ta) 1.54W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    8A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMG4812SSS-13" -tuotteita.
DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13

Kuvaus: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG563010R

DMG563010R

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

valmistajat: Panasonic
Varastossa
RFQ
DMG4N60SCT

DMG4N60SCT

Kuvaus: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG4468LK3-13

DMG4468LK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 10A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG4712SSS-13

DMG4712SSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG504010R

DMG504010R

Kuvaus: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6

valmistajat: Panasonic
Varastossa
RFQ
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG4800LFG-7

DMG4800LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13

Kuvaus: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG4932LSD-13

DMG4932LSD-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG4710SSS-13

DMG4710SSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG4N60SK3-13

DMG4N60SK3-13

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG4N60SJ3

DMG4N60SJ3

Kuvaus: MOSFET NCH 600V 3A TO251

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG4468LFG

DMG4468LFG

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG4N65CT

DMG4N65CT

Kuvaus: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.