Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMG8880LSS-13
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
2200506DMG8880LSS-13-kuvaDiodes Incorporated

DMG8880LSS-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$0.45
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMG8880LSS-13
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMG8880LSS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    8-SOP
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    10 mOhm @ 11.6A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    1.43W (Ta)
  • Pakkaus
    Cut Tape (CT)
  • Pakkaus / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muut nimet
    1034-DMG8880LSS-13DICT
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    1289pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27.6nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 30V 11.6A (Ta) 1.43W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    11.6A (Ta)

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024

NVIDIA RTX 5090 -näytönohjaimen GPU -pinta -ala on 744 mm...

25.11.2024

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMG8880LSS-13" -tuotteita.
DMG7N65SCTI

DMG7N65SCTI

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG963HD0R

DMG963HD0R

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

valmistajat: Panasonic
Varastossa
RFQ
DMG7702SFG-13

DMG7702SFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG7N65SCT

DMG7N65SCT

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG963H50R

DMG963H50R

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

valmistajat: Panasonic
Varastossa
RFQ
DMG8822UTS-13

DMG8822UTS-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG7408SFG-7

DMG7408SFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG904010R

DMG904010R

Kuvaus: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6

valmistajat: Panasonic
Varastossa
RFQ
DMG8880LK3-13

DMG8880LK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG963HE0R

DMG963HE0R

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

valmistajat: Panasonic
Varastossa
RFQ
DMG7N65SJ3

DMG7N65SJ3

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG963010R

DMG963010R

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

valmistajat: Panasonic
Varastossa
RFQ
DMG963020R

DMG963020R

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

valmistajat: Panasonic
Varastossa
RFQ
DMG8N65SCT

DMG8N65SCT

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG963H10R

DMG963H10R

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

valmistajat: Panasonic
Varastossa
RFQ
DMG963030R

DMG963030R

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

valmistajat: Panasonic
Varastossa
RFQ
DMG963HC0R

DMG963HC0R

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

valmistajat: Panasonic
Varastossa
RFQ
DMG7702SFG-7

DMG7702SFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG8601UFG-7

DMG8601UFG-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG7430LFG-7

DMG7430LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.