Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMN1019USN-13

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

6384719

DMN1019USN-13-kuva

Diodes Incorporated

DMN1019USN-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

10000+

$0.122

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

DMN1019USN-13
Valmistaja / merkki

Diodes Incorporated
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

DMN1019USN-13.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

SC-59
Sarja

-
RDS (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Tehonkulutus (Max)

680mW (Ta)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet

DMN1019USN-13DITR
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

32 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

2426pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50.6nC @ 8V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 2.5V
Valua lähde jännite (Vdss)

12V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 12V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) Surface Mount SC-59
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

9.3A (Ta)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

laivaus

Maksu

Seuraava on "DMN1019USN-13" -tuotteita.

DMN1045UFR4-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1029UFDB-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1029UFDB-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1006UCA6-7

Kuvaus: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1004UFV-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1004UFDF-13

DMN1004UFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1032UCB4-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1033UCB4-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1019UFDE-7

Kuvaus: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1019UVT-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1004UFDF-7

DMN1004UFDF-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1004UFV-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1008UFDF-7

Kuvaus: MOSFET N-CH30V SC-59

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1019UVT-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1017UCP3-7

DMN1017UCP3-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1016UCB6-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1019USN-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1008UFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH30V SC-59

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.