Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMN10H099SFG-13

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

119837

DMN10H099SFG-13-kuva

Diodes Incorporated

DMN10H099SFG-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

3000+

$0.303

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

DMN10H099SFG-13
Valmistaja / merkki

Diodes Incorporated
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 100V 4.2A
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

DMN10H099SFG-13.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

PowerDI3333-8
Sarja

-
RDS (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 3.3A, 10V
Tehonkulutus (Max)

980mW (Ta)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

8-PowerWDFN
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

32 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1172pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.2nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

100V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 100V 4.2A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

4.2A (Ta)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

NVIDIA RTX 5090 -näytönohjaimen GPU -pinta -ala on 744 mm...

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

laivaus

Maksu

Seuraava on "DMN10H099SFG-13" -tuotteita.

DMN1019USN-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1045UFR4-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN10H099SFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1033UCB4-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1019UVT-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN10H170SFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1032UCB4-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1029UFDB-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1029UFDB-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN10H120SFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN10H120SE-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN1019UVT-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.