Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMN2004WK-7
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
1761939DMN2004WK-7-kuvaDiodes Incorporated

DMN2004WK-7

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
3000+
$0.104
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMN2004WK-7
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMN2004WK-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    SOT-323
  • Sarja
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    550 mOhm @ 540mA, 4.5V
  • Tehonkulutus (Max)
    200mW (Ta)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    SC-70, SOT-323
  • Muut nimet
    DMN2004WK7
    DMN2004WKDITR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    16 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    150pF @ 16V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    20V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 20V 540mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-323
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    540mA (Ta)

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13.11.2024

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMN2004WK-7" -tuotteita.
DMN2005UFG-13

DMN2005UFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN15H310SK3-13

DMN15H310SK3-13

Kuvaus: MOSFET NCH 150V 8.3A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2004K-7

DMN2004K-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2004TK-7

DMN2004TK-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2004VK-7

DMN2004VK-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2005K-7

DMN2005K-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2005UFG-7

DMN2005UFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN15H310SE-13

DMN15H310SE-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2005UPS-13

DMN2005UPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN16M9UCA6-7

DMN16M9UCA6-7

Kuvaus: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2005LP4K-7

DMN2005LP4K-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2005DLP4K-7

DMN2005DLP4K-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN13M9UCA6-7

DMN13M9UCA6-7

Kuvaus: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2004DWKQ-7

DMN2004DWKQ-7

Kuvaus: MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2004DWK-7

DMN2004DWK-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13

Kuvaus: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2004DMK-7

DMN2004DMK-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2005LPK-7

DMN2005LPK-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.