Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMN3024LSS-13
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
7026992DMN3024LSS-13-kuvaDiodes Incorporated

DMN3024LSS-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
2500+
$0.257
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMN3024LSS-13
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMN3024LSS-13.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    8-SO
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    24 mOhm @ 7A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    1.6W (Ta)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muut nimet
    1034-DMN3024LSS-13DITR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    26 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    608pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12.9nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 30V 6.4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    6.4A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMN3024LSS-13" -tuotteita.
DMN3024LSD-13

DMN3024LSD-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3025LFG-13

DMN3025LFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 7.5A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3024LK3-13

DMN3024LK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3024SFG-7

DMN3024SFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3021LFDF-13

DMN3021LFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 11.8A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3025LFV-13

DMN3025LFV-13

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 25V 30V POWERDI333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3020UTS-13

DMN3020UTS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-TSSOP

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3023L-7

DMN3023L-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3024SFG-13

DMN3024SFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3025LFDF-13

DMN3025LFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3025LFDF-7

DMN3025LFDF-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3020UFDF-7

DMN3020UFDF-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3021LFDF-7

DMN3021LFDF-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 11.8A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3026LVTQ-13

DMN3026LVTQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3023L-13

DMN3023L-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3020UFDF-13

DMN3020UFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3025LSS-13

DMN3025LSS-13

Kuvaus: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3020LK3-13

DMN3020LK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3025LFG-7

DMN3025LFG-7

Kuvaus: MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.