Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMN3050S-7
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
2030638DMN3050S-7-kuvaDiodes Incorporated

DMN3050S-7

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMN3050S-7
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMN3050S-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    SOT-23-3
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 5.2A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    1.4W (Ta)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muut nimet
    DMN3050S7
    DMN3050SDITR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    390pF @ 15V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 30V 5.2A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    5.2A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMN3050S-7" -tuotteita.
DMN3042LFDF-7

DMN3042LFDF-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3051LDM-7

DMN3051LDM-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 4A SOT26

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3042LFDF-13

DMN3042LFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3033LSN-7

DMN3033LSN-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3035LWN-13

DMN3035LWN-13

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3033LSDQ-13

DMN3033LSDQ-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3053L-13

DMN3053L-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3033LSNQ-13

DMN3033LSNQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3051L-7

DMN3051L-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3042L-13

DMN3042L-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3035LWN-7

DMN3035LWN-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3065LW-7

DMN3065LW-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3053L-7

DMN3053L-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3052L-7

DMN3052L-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3055LFDB-7

DMN3055LFDB-7

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3052LSS-13

DMN3052LSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3033LSNQ-7

DMN3033LSNQ-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3055LFDB-13

DMN3055LFDB-13

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3042L-7

DMN3042L-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3065LW-13

DMN3065LW-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 4A SOT323

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.