Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMN4468LSS-13
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
3873885DMN4468LSS-13-kuvaDiodes Incorporated

DMN4468LSS-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
2500+
$0.169
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMN4468LSS-13
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N CH 30V 10A 8SOP
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMN4468LSS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.95V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    8-SO
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    14 mOhm @ 11.6A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    1.52W (Ta)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muut nimet
    DMN4468LSS-13DI
    DMN4468LSS-13DI-ND
    DMN4468LSS-13DITR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    32 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    867pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18.85nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 30V 10A (Ta) 1.52W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024

NVIDIA RTX 5090 -näytönohjaimen GPU -pinta -ala on 744 mm...

25.11.2024

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMN4468LSS-13" -tuotteita.
DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN53D0LDW-13

DMN53D0LDW-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN4031SSDQ-13

DMN4031SSDQ-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN4800LSSQ-13

DMN4800LSSQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN4030LK3-13

DMN4030LK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN4800LSSL-13

DMN4800LSSL-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN4060SVT-7

DMN4060SVT-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN4031SSD-13

DMN4031SSD-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN4040SK3-13

DMN4040SK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN53D0L-13

DMN53D0L-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN4036LK3Q-13

DMN4036LK3Q-13

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 T&R

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN53D0L-7

DMN53D0L-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN4034SSD-13

DMN4034SSD-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN53D0LQ-13

DMN53D0LQ-13

Kuvaus: MOSFET NCH 50V 500MA SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN4034SSS-13

DMN4034SSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN4036LK3-13

DMN4036LK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN4800LSS-13

DMN4800LSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN4027SSS-13

DMN4027SSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 6A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN5010VAK-7

DMN5010VAK-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN53D0LQ-7

DMN53D0LQ-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.