Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrayit > DMN61D9UDW-7
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
6470691DMN61D9UDW-7-kuvaDiodes Incorporated

DMN61D9UDW-7

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
3000+
$0.101
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMN61D9UDW-7
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMN61D9UDW-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Toimittaja Device Package
    SOT-363
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    2 Ohm @ 50mA, 5V
  • Virta - Max
    320mW
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Muut nimet
    DMN61D9UDW-7DITR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    32 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    28.5pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.4nC @ 4.5V
  • FET tyyppi
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Ominaisuus
    Standard
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    60V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 350mA 320mW Surface Mount SOT-363
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    350mA

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13.11.2024

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMN61D9UDW-7" -tuotteita.
DMN62D0LFD-7

DMN62D0LFD-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN62D0LFB-7B

DMN62D0LFB-7B

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN62D0U-13

DMN62D0U-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 0.38A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN61D9UDW-13

DMN61D9UDW-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN62D0LFB-7

DMN62D0LFB-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN61D9UWQ-13

DMN61D9UWQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN61D8LQ-13

DMN61D8LQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN62D0U-7

DMN62D0U-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 0.38A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN61D8LVTQ-13

DMN61D8LVTQ-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN61D8L-7

DMN61D8L-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN61D8LVT-13

DMN61D8LVT-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN61D9U-7

DMN61D9U-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 0.38A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN62D0SFD-7

DMN62D0SFD-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN61D9UW-7

DMN61D9UW-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 0.34A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN61D8LVTQ-7

DMN61D8LVTQ-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN61D9UWQ-7

DMN61D9UWQ-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN61D9UW-13

DMN61D9UW-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN61D9U-13

DMN61D9U-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN61D8LVT-7

DMN61D8LVT-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.