Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMN62D0UW-7
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
5530209DMN62D0UW-7-kuvaDiodes Incorporated

DMN62D0UW-7

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
3000+
$0.061
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMN62D0UW-7
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 60V 0.34A
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMN62D0UW-7.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    SOT-323
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    2 Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Tehonkulutus (Max)
    320mW (Ta)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    SC-70, SOT-323
  • Muut nimet
    DMN62D0UW-7DITR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    32 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    32pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.5nC @ 4.5V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    60V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 60V 340mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-323
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    340mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMN62D0UW-7" -tuotteita.
DMN62D0LFB-7B

DMN62D0LFB-7B

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN63D1LT-13

DMN63D1LT-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN63D1L-13

DMN63D1L-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN63D1L-7

DMN63D1L-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN62D0LFD-7

DMN62D0LFD-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN62D0UW-13

DMN62D0UW-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN62D0U-7

DMN62D0U-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 0.38A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN62D0UT-13

DMN62D0UT-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN62D1LFD-13

DMN62D1LFD-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN62D0SFD-7

DMN62D0SFD-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN63D1LDW-13

DMN63D1LDW-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN62D0U-13

DMN62D0U-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 0.38A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN62D0UT-7

DMN62D0UT-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN63D0LT-7

DMN63D0LT-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V SOT523

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN63D1LDW-7

DMN63D1LDW-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN62D1LFD-7

DMN62D1LFD-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN62D0UDW-13

DMN62D0UDW-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN62D1SFB-7B

DMN62D1SFB-7B

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN62D1LFB-7B

DMN62D1LFB-7B

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 41V 60V X1-DFN1006

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN62D0UDW-7

DMN62D0UDW-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.