Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMNH6012LK3-13
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
2426567

DMNH6012LK3-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
2500+
$0.539
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMNH6012LK3-13
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET NCH 60V 60A TO252
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Sisältää lyijy / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMNH6012LK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    TO-252-4L
  • Sarja
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 25A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    2W (Ta)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    24 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    1926pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    35.2nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    60V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 60V 60A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount TO-252-4L
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMNH6012LK3-13" -tuotteita.
DMNH6008SCT

DMNH6008SCT

Kuvaus: MOSFET NCH 60V 130A TO220AB

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH6021SPDQ-13

DMNH6021SPDQ-13

Kuvaus: MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH6012LK3Q-13

DMNH6012LK3Q-13

Kuvaus: MOSFET NCH 60V 80A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH4015SSDQ-13

DMNH4015SSDQ-13

Kuvaus: MOSFET ARRAY N-CH 40V 8.6A 8SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH6021SPD-13

DMNH6021SPD-13

Kuvaus: MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH6022SSD-13

DMNH6022SSD-13

Kuvaus: MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH6008SPS-13

DMNH6008SPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 16.5A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH4026SSD-13

DMNH4026SSD-13

Kuvaus: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.5A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH4011SPS-13

DMNH4011SPS-13

Kuvaus: MOSFET NCH 40V 13A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH6021SPSQ-13

DMNH6021SPSQ-13

Kuvaus: MOSFET NCH 60V 55A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH6021SK3Q-13

DMNH6021SK3Q-13

Kuvaus: MOSFET NCH 60V 50A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH6012SPS-13

DMNH6012SPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CHA 60V 50A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH6008SCTQ

DMNH6008SCTQ

Kuvaus: MOSFET NCH 60V 130A TO220AB

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH6012SPSQ-13

DMNH6012SPSQ-13

Kuvaus: MOSFET NCH 60V 50A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH4015SSD-13

DMNH4015SSD-13

Kuvaus: MOSFET 2 N-CHANNEL 11A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH6021SK3-13

DMNH6021SK3-13

Kuvaus: MOSFET NCH 60V 50A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH6021SPS-13

DMNH6021SPS-13

Kuvaus: MOSFET NCH 60V 55A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH4011SPSQ-13

DMNH4011SPSQ-13

Kuvaus: MOSFET NCH 40V 12.9A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH6008SPSQ-13

DMNH6008SPSQ-13

Kuvaus: MOSFET NCH 60V 16.5A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH4026SSDQ-13

DMNH4026SSDQ-13

Kuvaus: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.5A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.