Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMT10H015LSS-13
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
2125219DMT10H015LSS-13-kuvaDiodes Incorporated

DMT10H015LSS-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$1.28
10+
$1.131
100+
$0.894
500+
$0.693
1000+
$0.547
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMT10H015LSS-13
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 100V 8.3A
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMT10H015LSS-13.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    8-SO
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 20A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    1.2W (Ta)
  • Pakkaus
    Cut Tape (CT)
  • Pakkaus / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muut nimet
    DMT10H015LSS-13DICT
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    32 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    1871pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33.3nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    100V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 100V 8.3A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    8.3A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMT10H015LSS-13" -tuotteita.
DMT1D68K-F

DMT1D68K-F

Kuvaus: CAP FILM 6800PF 10% 100VDC RAD

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
DMT1D22K-F

DMT1D22K-F

Kuvaus: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
DMT1D47K-F

DMT1D47K-F

Kuvaus: CAP FILM 4700PF 10% 100VDC RAD

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
DMT10H015LFG-13

DMT10H015LFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 10A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT1D68K

DMT1D68K

Kuvaus: CAP FILM 6800PF 10% 100VDC RAD

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
DMT10H015LFG-7

DMT10H015LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 10A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT10H010SPS-13

DMT10H010SPS-13

Kuvaus: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT10H014LSS-13

DMT10H014LSS-13

Kuvaus: MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT10H010LSS-13

DMT10H010LSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V SO-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT1D1K-F

DMT1D1K-F

Kuvaus: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
DMT1D33K

DMT1D33K

Kuvaus: CAP FILM 3300PF 10% 100VDC RAD

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
DMT1D15K-F

DMT1D15K-F

Kuvaus: CAP FILM 1500PF 10% 100VDC RAD

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
DMT10H010LPS-13

DMT10H010LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 9.4A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT1D22K

DMT1D22K

Kuvaus: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
DMT10H015LCG-13

DMT10H015LCG-13

Kuvaus: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT1D1K

DMT1D1K

Kuvaus: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
DMT10H015LPS-13

DMT10H015LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 7.3A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT10H015LCG-7

DMT10H015LCG-7

Kuvaus: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT10H025SSS-13

DMT10H025SSS-13

Kuvaus: MOSFETN-CHAN 100V SO-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT10H015LK3-13

DMT10H015LK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.