Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMT4004LPS-13
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
578063DMT4004LPS-13-kuvaDiodes Incorporated

DMT4004LPS-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$1.23
10+
$1.093
100+
$0.864
500+
$0.67
1000+
$0.529
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMT4004LPS-13
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CHA 40V 26A POWERDI
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Sisältää lyijy / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMT4004LPS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    PowerDI5060-8
  • Sarja
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    2.5 mOhm @ 50A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    2.6W (Ta), 138W (Tc)
  • Pakkaus
    Cut Tape (CT)
  • Pakkaus / Case
    8-PowerTDFN
  • Muut nimet
    DMT4004LPS-13DICT
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    20 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    4508pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    82.2nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    40V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 40V 26A (Ta), 90A (Tc) 2.6W (Ta), 138W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    26A (Ta), 90A (Tc)

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13.11.2024

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMT4004LPS-13" -tuotteita.
DMT35M7LFV-13

DMT35M7LFV-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT4011LFG-13

DMT4011LFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT4P22K-F

DMT4P22K-F

Kuvaus: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
DMT32M5LFG-7

DMT32M5LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT4011LFG-7

DMT4011LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT4P1K

DMT4P1K

Kuvaus: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
DMT34M1LPS-13

DMT34M1LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 100A POWERDI5060

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT4P22K

DMT4P22K

Kuvaus: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
DMT4002LPS-13

DMT4002LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 100A POWERDI5060

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT34M2LPS-13

DMT34M2LPS-13

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT35M7LFV-7

DMT35M7LFV-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT4P1K-F

DMT4P1K-F

Kuvaus: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
DMT4D47K

DMT4D47K

Kuvaus: CAP FILM 4700PF 10% 400VDC RAD

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
DMT36M1LPS-13

DMT36M1LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 65A POWERDI5060

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3N4R2U224M3DTA0

DMT3N4R2U224M3DTA0

Kuvaus: CAPACITOR 220MF 20% 4.2V SMD

valmistajat: Murata Electronics
Varastossa
RFQ
DMT4S1K-F

DMT4S1K-F

Kuvaus: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
DMT4005SCT

DMT4005SCT

Kuvaus: MOSFET NCH 40V 100A TO220AB

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT334R2S474M3DTA0

DMT334R2S474M3DTA0

Kuvaus: CAP SUPER 470MF 4.2V 3-SMD

valmistajat: Murata Electronics
Varastossa
RFQ
DMT32M5LPS-13

DMT32M5LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 150A POWERDI5060

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT5015LFDF-13

DMT5015LFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.