Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMTH8012LPSQ-13
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
6502135DMTH8012LPSQ-13-kuvaDiodes Incorporated

DMTH8012LPSQ-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$1.45
10+
$1.285
100+
$1.016
500+
$0.788
1000+
$0.622
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMTH8012LPSQ-13
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET NCH 80V 10A POWERDI
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Sisältää lyijy / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMTH8012LPSQ-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    PowerDI5060-8
  • Sarja
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    17 mOhm @ 12A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    2.6W (Ta), 136W (Tc)
  • Pakkaus
    Cut Tape (CT)
  • Pakkaus / Case
    8-PowerTDFN
  • Muut nimet
    DMTH8012LPSQ-13DICT
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    20 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    2051pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    46.8nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    80V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 80V 10A (Ta), 72A (Tc) 2.6W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta), 72A (Tc)

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13.11.2024

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMTH8012LPSQ-13" -tuotteita.
DMTH8012LK3Q-13

DMTH8012LK3Q-13

Kuvaus: MOSFET NCH 80V 50A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTX-19V15W-EZ-SYS

DMTX-19V15W-EZ-SYS

Kuvaus: DUAL MODE TRANSMITTER MODULE 19V

valmistajat: Semtech
Varastossa
RFQ
DMTH6010SK3-13

DMTH6010SK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 16.3A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH6016LSD-13

DMTH6016LSD-13

Kuvaus: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.6A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH6010LPD-13

DMTH6010LPD-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH6016LPSQ-13

DMTH6016LPSQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH6010LPDQ-13

DMTH6010LPDQ-13

Kuvaus: MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH6010SK3Q-13

DMTH6010SK3Q-13

Kuvaus: MOSFET NCH 60V 16.3A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH6010LPSQ-13

DMTH6010LPSQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH6016LPS-13

DMTH6016LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTT-650

DMTT-650

Kuvaus: XFRMR LAMINATED 650VA CHAS MOUNT

valmistajat: Bel
Varastossa
RFQ
DMTH8012LK3-13

DMTH8012LK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 50A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTT-1000

DMTT-1000

Kuvaus: XFRMR LAMINATED 1000VA CHAS MNT

valmistajat: Bel
Varastossa
RFQ
DMTH6010LK3Q-13

DMTH6010LK3Q-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTT-300

DMTT-300

Kuvaus: XFRMR LAMINATED 300VA CHAS MOUNT

valmistajat: Bel
Varastossa
RFQ
DMTH6010SCT

DMTH6010SCT

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH8012LPSW-13

DMTH8012LPSW-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 53.7A POWERDI506

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH8012LPS-13

DMTH8012LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH6016LSDQ-13

DMTH6016LSDQ-13

Kuvaus: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH6010LPS-13

DMTH6010LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 13.5A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.