Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > ZXMN3A02N8TA
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
5465864ZXMN3A02N8TA-kuvaDiodes Incorporated

ZXMN3A02N8TA

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    ZXMN3A02N8TA
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    ZXMN3A02N8TA.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    8-SO
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 12A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    1.56W (Ta)
  • Pakkaus
    Cut Tape (CT)
  • Pakkaus / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muut nimet
    ZXMN3A02N8CT
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    1400pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26.8nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 30V 7.3A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    7.3A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "ZXMN3A02N8TA" -tuotteita.
ZXMN3A01FTC

ZXMN3A01FTC

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN3A05N8TA

ZXMN3A05N8TA

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN3A02X8TC

ZXMN3A02X8TC

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN3A03E6TA

ZXMN3A03E6TA

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN2F34FHTA

ZXMN2F34FHTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN3A01E6TA

ZXMN3A01E6TA

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN3A02X8TA

ZXMN3A02X8TA

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN3A04DN8TA

ZXMN3A04DN8TA

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN2F30FHTA

ZXMN2F30FHTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN3A04DN8TC

ZXMN3A04DN8TC

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN3A01ZTA

ZXMN3A01ZTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN3A01E6TC

ZXMN3A01E6TC

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN2F34MATA

ZXMN2F34MATA

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN2B14FHTA

ZXMN2B14FHTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN3A02N8TC

ZXMN3A02N8TC

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 8SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN3A03E6TC

ZXMN3A03E6TC

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN2F30FHQTA

ZXMN2F30FHQTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN3A04KTC

ZXMN3A04KTC

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN3A06DN8TA

ZXMN3A06DN8TA

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.