Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > ZXMN4A06KTC
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
2565280ZXMN4A06KTC-kuvaDiodes Incorporated

ZXMN4A06KTC

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    ZXMN4A06KTC
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 40V 7.2A DPAK
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Sisältää lyijy / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    ZXMN4A06KTC.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    TO-252-3
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    50 mOhm @ 4.5A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    2.15W (Ta)
  • Pakkaus
    Cut Tape (CT)
  • Pakkaus / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muut nimet
    ZXMN4A06KCT
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    827pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17.1nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    40V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 40V 7.2A (Ta) 2.15W (Ta) Surface Mount TO-252-3
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    7.2A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "ZXMN4A06KTC" -tuotteita.
ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06GTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A08GQTC

ZXMN6A08GQTC

Kuvaus: MOSFETN-CH 60VSOT223

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A08E6QTA

ZXMN6A08E6QTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A08GTA

ZXMN6A08GTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A08E6TC

ZXMN6A08E6TC

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN3B14FTA

ZXMN3B14FTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN3B04N8TC

ZXMN3B04N8TC

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A07FTC

ZXMN6A07FTC

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30FHTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A08E6TA

ZXMN6A08E6TA

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN3AMCTA

ZXMN3AMCTA

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN3AM832TA

ZXMN3AM832TA

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN3G32DN8TA

ZXMN3G32DN8TA

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A08GQTA

ZXMN6A08GQTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 60VSOT223

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN3B01FTA

ZXMN3B01FTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN3B04N8TA

ZXMN3B04N8TA

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN3F31DN8TA

ZXMN3F31DN8TA

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A07ZTA

ZXMN6A07ZTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A08KTC

ZXMN6A08KTC

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A07FTA

ZXMN6A07FTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.