Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SI1051X-T1-GE3
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
1954840SI1051X-T1-GE3-kuvaElectro-Films (EFI) / Vishay

SI1051X-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    SI1051X-T1-GE3
  • Valmistaja / merkki
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    SI1051X-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±5V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    SC-89-6
  • Sarja
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    122 mOhm @ 1.2A, 4.5V
  • Tehonkulutus (Max)
    236mW (Ta)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    SOT-563, SOT-666
  • Muut nimet
    SI1051X-T1-GE3TR
    SI1051XT1GE3
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    560pF @ 4V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.45nC @ 5V
  • FET tyyppi
    P-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    8V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    P-Channel 8V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    -

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024

NVIDIA RTX 5090 -näytönohjaimen GPU -pinta -ala on 744 mm...

25.11.2024

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "SI1051X-T1-GE3" -tuotteita.
SI1046R-T1-E3

SI1046R-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI1058X-T1-GE3

SI1058X-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V SC89

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI1056X-T1-GE3

SI1056X-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V SC-89-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI1060-A-GM

SI1060-A-GM

Kuvaus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI1046X-T1-GE3

SI1046X-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI1039X-T1-GE3

SI1039X-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI1039X-T1-E3

SI1039X-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI1056X-T1-E3

SI1056X-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI1054X-T1-GE3

SI1054X-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI1046R-T1-GE3

SI1046R-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI1061-A-GM

SI1061-A-GM

Kuvaus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI1051X-T1-E3

SI1051X-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI1058X-T1-E3

SI1058X-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI1061-A-GMR

SI1061-A-GMR

Kuvaus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI1054X-T1-E3

SI1054X-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI1050X-T1-GE3

SI1050X-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI1040X-T1-GE3

SI1040X-T1-GE3

Kuvaus: IC LOAD SW N/P-CH MOSFET SC89-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI1040X-T1-E3

SI1040X-T1-E3

Kuvaus: IC LOAD SW N/P-CH MOSFET SOT563F

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI1050X-T1-E3

SI1050X-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI1060-A-GMR

SI1060-A-GMR

Kuvaus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.