SI2319DS-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

$0.90

10+

$0.788

100+

$0.608

500+

$0.45

1000+

$0.36

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SI2319DS-T1-GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SI2319DS-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Sarja

TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs

82 mOhm @ 3A, 10V
Tehonkulutus (Max)

750mW (Ta)
Pakkaus

Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet

SI2319DS-T1-GE3CT
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

33 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V
FET tyyppi

P-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Valua lähde jännite (Vdss)

40V
Yksityiskohtainen kuvaus

P-Channel 40V 2.3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

2.3A (Ta)

Seuraava on "SI2319DS-T1-GE3" -tuotteita.

SI2321DS-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI2316BDS-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI2316BDS-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI2319DS-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI2325DS-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI2318CDS-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI2321-TP

Kuvaus: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

valmistajat: Micro Commercial Components (MCC)

Varastossa

RFQ

SI2318DS-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI2316DS-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI2319DDS-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CHAN 40V

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI2321DS-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI2319CDS-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI2323DS-T1

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI2324DS-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI2323DDS-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI2323DS-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI2323DS-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI2316DS-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI2318DS-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI2323CDS-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Ennakkorekisteröinti

SI2319DS-T1-GE3

Pyydä tarjous

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

NVIDIA RTX 5090 -näytönohjaimen GPU -pinta -ala on 744 mm...

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

SI2321DS-T1-E3

SI2316BDS-T1-GE3

SI2316BDS-T1-E3

SI2319DS-T1-E3

SI2325DS-T1-E3

SI2318CDS-T1-GE3

SI2321-TP

SI2318DS-T1-E3

SI2316DS-T1-GE3

SI2319DDS-T1-GE3

SI2321DS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3

SI2323DS-T1

SI2324DS-T1-GE3

SI2323DDS-T1-GE3

SI2323DS-T1-GE3

SI2323DS-T1-E3

SI2316DS-T1-E3

SI2318DS-T1-GE3

SI2323CDS-T1-GE3

Valitse kieli

Nykyinen kieli