Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SI3424BDV-T1-GE3
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
2898417SI3424BDV-T1-GE3-kuvaElectro-Films (EFI) / Vishay

SI3424BDV-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
3000+
$0.241
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    SI3424BDV-T1-GE3
  • Valmistaja / merkki
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    SI3424BDV-T1-GE3.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    6-TSOP
  • Sarja
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    28 mOhm @ 7A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Muut nimet
    SI3424BDV-T1-GE3-ND
    SI3424BDV-T1-GE3TR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    33 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    735pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19.6nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 30V 8A (Tc) 2.1W (Ta), 2.98W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "SI3424BDV-T1-GE3" -tuotteita.
SI3415-TP

SI3415-TP

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23

valmistajat: Micro Commercial Components (MCC)
Varastossa
RFQ
SI3433CDV-T1-E3

SI3433CDV-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI3430DV-T1-E3

SI3430DV-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI3433BDV-T1-GE3

SI3433BDV-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI3433BDV-T1-E3

SI3433BDV-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI3415A-TP

SI3415A-TP

Kuvaus: P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

valmistajat: Micro Commercial Components (MCC)
Varastossa
RFQ
SI3433CDV-T1-GE3

SI3433CDV-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI3417DV-T1-GE3

SI3417DV-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI3410DV-T1-GE3

SI3410DV-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI3420-TP

SI3420-TP

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 20V 6A SOT23

valmistajat: Micro Commercial Components (MCC)
Varastossa
RFQ
SI3407DV-T1-GE3

SI3407DV-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI3410DV-T1-E3

SI3410DV-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI3429EDV-T1-GE3

SI3429EDV-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI3420A-TP

SI3420A-TP

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

valmistajat: Micro Commercial Components (MCC)
Varastossa
RFQ
SI3424DV-T1-GE3

SI3424DV-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI3424DV-T1-E3

SI3424DV-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI3424BDV-T1-E3

SI3424BDV-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI3424CDV-T1-GE3

SI3424CDV-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI3430DV-T1-GE3

SI3430DV-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI3421DV-T1-GE3

SI3421DV-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.