Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SI3458BDV-T1-E3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

23182

SI3458BDV-T1-E3-kuva

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3458BDV-T1-E3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

3000+

$0.384

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SI3458BDV-T1-E3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SI3458BDV-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

6-TSOP
Sarja

TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 3.2A, 10V
Tehonkulutus (Max)

2W (Ta), 3.3W (Tc)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Muut nimet

SI3458BDV-T1-E3-ND
SI3458BDV-T1-E3TR
SI3458BDVT1E3
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

33 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

60V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 60V 4.1A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

4.1A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

laivaus

Maksu

Seuraava on "SI3458BDV-T1-E3" -tuotteita.

SI3457CDV-T1-E3

SI3457CDV-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI3459DV-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI3456BDV-T1-GE3

SI3456BDV-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI3459BDV-T1-GE3

SI3459BDV-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI3457BDV-T1-GE3

SI3457BDV-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI3458DV-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI3458BDV-T1-GE3

SI3458BDV-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI3459-KIT

Kuvaus: EVAL KIT FOR SI3459 POE CTLR

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)

Varastossa

SI3459-B02-IM

SI3459-B02-IM

Kuvaus: IC POE PSE 8 PORT 802.3AT 56QFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)

Varastossa

SI3456CDV-T1-GE3

SI3456CDV-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI3457DV

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

SI3459SMART24-KIT

SI3459SMART24-KIT

Kuvaus: EVAL KIT SI3459/3483 POE CTLR

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)

Varastossa

SI3459-B02-IMR

SI3459-B02-IMR

Kuvaus: IC POE PSE 8 PORT 802.3AT 56QFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)

Varastossa

SI3456DDV-T1-E3

SI3456DDV-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI3460-E02-GM

Kuvaus: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)

Varastossa

SI3457BDV-T1-E3

SI3457BDV-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI3457CDV-T1-GE3

SI3457CDV-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI3456DDV-T1-GE3

SI3456DDV-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI3459BDV-T1-E3

SI3459BDV-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI3456CDV-T1-E3

SI3456CDV-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.