Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SI4102DY-T1-E3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

841223

SI4102DY-T1-E3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SI4102DY-T1-E3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SI4102DY-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

8-SO
Sarja

TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs

158 mOhm @ 2.7A, 10V
Tehonkulutus (Max)

2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

370pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

100V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 100V 3.8A (Tc) 2.4W (Ta), 4.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

3.8A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

laivaus

Maksu

Seuraava on "SI4102DY-T1-E3" -tuotteita.

SI4062DY-T1-GE3

SI4062DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4112-D-GMR

Kuvaus: IC SYNTHESIZER IF ONLY 28MLP

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)

Varastossa

SI4063-B1B-FMR

SI4063-B1B-FMR

Kuvaus: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)

Varastossa

SI4100DY-T1-E3

SI4100DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4108DY-T1-GE3

SI4108DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4063-C2A-GM

SI4063-C2A-GM

Kuvaus: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)

Varastossa

SI4090DY-T1-GE3

SI4090DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4100DY-T1-GE3

SI4100DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4063-C2A-GMR

SI4063-C2A-GMR

Kuvaus: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)

Varastossa

SI4112-BT

SI4112-BT

Kuvaus: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)

Varastossa

SI4104DY-T1-E3

SI4104DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4063-B0B-FM

SI4063-B0B-FM

Kuvaus: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)

Varastossa

SI4112-D-GM

Kuvaus: IC SYNTHESIZER IF ONLY 28QFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)

Varastossa

SI4112-BM

SI4112-BM

Kuvaus: IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)

Varastossa

SI4063-B1B-FM

SI4063-B1B-FM

Kuvaus: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)

Varastossa

SI4110DY-T1-GE3

SI4110DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4103DY-T1-GE3

SI4103DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CHAN 30V SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4102DY-T1-GE3

SI4102DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4101DY-T1-GE3

SI4101DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4104DY-T1-GE3

SI4104DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.