Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SI4114DY-T1-GE3
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
398990

SI4114DY-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$1.36
10+
$1.202
100+
$0.95
500+
$0.736
1000+
$0.581
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    SI4114DY-T1-GE3
  • Valmistaja / merkki
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    SI4114DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    8-SO
  • Sarja
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    6 mOhm @ 10A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
  • Pakkaus
    Cut Tape (CT)
  • Pakkaus / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muut nimet
    SI4114DY-T1-GE3CT
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    3700pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    95nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    20V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 20V 20A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "SI4114DY-T1-GE3" -tuotteita.
SI4113-D-GTR

SI4113-D-GTR

Kuvaus: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4114GM-EVB

SI4114GM-EVB

Kuvaus: BOARD EVAL SI4114G-BM

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4113M-EVB

SI4113M-EVB

Kuvaus: BOARD EVALUATION FOR SI4113

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4112M-EVB

SI4112M-EVB

Kuvaus: BOARD EVALUATION FOR SI4112

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4113-D-GT

SI4113-D-GT

Kuvaus: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4116DY-T1-GE3

SI4116DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4122-D-GMR

SI4122-D-GMR

Kuvaus: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4113-D-GM

SI4113-D-GM

Kuvaus: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4122-BT

SI4122-BT

Kuvaus: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4114G-B-GM

SI4114G-B-GM

Kuvaus: IC RF SYNTH FOR GSM/GPRS 28QFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4113-D-GMR

SI4113-D-GMR

Kuvaus: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4114DY-T1-E3

SI4114DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4122-D-GM

SI4122-D-GM

Kuvaus: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4116DY-T1-E3

SI4116DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4113-EVB

SI4113-EVB

Kuvaus: BOARD EVALUATION FOR SI4113

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4122-D-GT

SI4122-D-GT

Kuvaus: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4114G-BM

SI4114G-BM

Kuvaus: IC RF FREQ SYNTH VCO 28QFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4113-D-ZT1

SI4113-D-ZT1

Kuvaus: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4113-BT

SI4113-BT

Kuvaus: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4115G-BM

SI4115G-BM

Kuvaus: FREQUENCY GSM/GPRS SYNTH EXT

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.